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    成都分院前身系1958年11月成立的中科院四川分院,1962年调整更名为中科院西南分院,1970年由四川省管理,1978年1月恢复重建后使用现名,是西南地区综合性的科学研究基地、高级人才培养基地和高新技术产业化基地。
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    分党组成员
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光电所在低缺陷密度红外薄膜制备工艺方面取得进展

发布时间:2017-09-29 来源:光电所 【  小 中 大  】 【打印】 【关闭】
   光电技术研究所薄膜光学技术研究室在低缺陷密度红外薄膜制备工艺方面取得进展:通过优化红外薄膜的镀膜工艺,硫化锌/氟化镱多层膜的缺陷密度显著降低。 

  红外薄膜的缺陷是影响红外薄膜光学性能和其稳定性的重要因素,越来越受到国内外相关研究人员的关注。光电所研究团队通过优化沉积沉积速率、沉积温度和沉积方式,显著降低了多层红外薄膜的缺陷:多层红外薄膜的缺陷密度降低了一个数量级。采用低缺陷密度工艺参数制备的164nm高反射膜,反射率大于99.9%,吸收小于100ppm。 

  该研究成果发表于Surface & Coatings Technology, 320(2017)。 

  

  Fig.1 Reflectance spectra of 1064nm high-reflectance coating 

  图1 1064nm高反射膜的反射率光谱  

  

  Fig.2 Absorption of 1064nm high-reflectance coating 

  图2 1064nm高反射膜的吸收 


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