极紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是以13.5nm为曝光光源的投影光刻技术，被公认为是最具潜力的下一代光刻技术。“极紫外光刻关键技术研究”作为一项前瞻性研究项目，旨在突破极紫外光刻研制中的国外技术封锁。光电所承担的“极紫外光刻原理实验装置机械与真空系统研制”课题为该项目的重要研究内容之一，主要解决曝光装置高稳定真空环境、主动减振、自动输片系统、高精度工件台控制和纳米级调平调焦测量系统等关键技术，是极紫外光刻曝光装置集成和试验必不可少的组成部分，该课题需研制的系统复杂、研制内容多、技术难度大。
光电所微电子装备总体研究室团队经过八年艰苦奋战，突破真空、输片、工件台、减振和检焦等关键单元技术：真空系统实现5.8×10-7Torr稳定的高真空环境，保证了EUV光源传播的稳定性；整机框架及减振系统达到VC-F减振标准，水平方向2.2Hz-500Hz、垂直方向2Hz-500Hz频率范围隔振效果良好，框架、工件台及掩模台稳定性满足32nm光刻需求和亚纳米级波像差检测；调平调焦检测系统实现了纳米级检测精度，为32nm光刻分辨力的连续多次复现提供了保障。同时，工件台研制中，在已有基础上研究了多工件台协同控制技术，解决了硅片台与像方台、掩模台与物方台的同时控制和位置切换问题；自动输片系统实现真空环境中的全自动上下片；软件系统完成多模块复杂控制，协调各分系统完成曝光流程。
在完成关键单元系统研制的基础上，配合项目总体单位长春光机所实现32nm可重复曝光以及配合上海光机所实现亚纳米波像差检测发挥了较大作用，受到项目总体单位、各课题单位及验收组专家好评。在课题的研制过程中，课题组在工件台控制、精密测量技术等领域取得了一系列原创性成果，累计申请发明专利31项，其中国内专利28项，国际专利3项。
课题顺利通过验收，表明光电所微电子装备总体研究室团队已经成为我国极紫外光刻研究队伍的重要组成部分。同时，也表明我国现已突破EUV光刻设备研发的核心技术，为EUV光刻的下一步发展奠定了坚实的技术基础。
装置总体及关键单元系统
装置实物