6月6日，应中科院重庆研究院邀请，三位诺贝尔奖获得者George F. Smoot教授、Albert Fert教授、Danny Shechtman教授一同莅临重庆院交流访问。其中，Albert Fert教授作了题为“New frontiers in the science of materials for information technology”的专题学术报告，成为继诺贝尔奖获得者丁肇中教授之后，莅临该院开展“大师讲坛”的第三位科学家。全院科研人员、研究生及科技管理人员共计200余人参加了报告会。学术报告会由我院袁家虎院长主持。
AlbertFert教授从“磁性多层膜和磁性隧道结应用于硬盘驱动器的现状与趋势”、“非易失性磁随机存取存储器在低功率计算机的应用”、“铁电材料在仿生计算的应用”和“石墨烯在自旋电子学领域的应用”等四个方面介绍了信息技术领域的发展趋势。学术报告后，三位诺奖获得者还与重庆院青年科技人员代表进行学术交流座谈。
座谈会上，重庆院段宣明研究员和王德强研究员分别介绍了该院在3D打印技术和石墨烯材料制备与应用技术领域所取得的最新科技成果，并与三位科学家就3D打印技术以及石墨烯材料开发与应用进行了深入的交流。来访期间，George F. Smoot教授和Danny Shechtman教授一行还分别参观了我院科研公共服务平台以及位于重庆院产业园区的重庆机器人体验馆和3D打印体验馆。
George F. Smoot教授现为美国加州大学伯克利分校物理学教授、巴黎第七大学教授，世界著名天体物理学家、宇宙学家。成功领导了1989年11月18日发射的空间卫星Cosmic Background Explorer (COBE)的观测实验和数据分析，获得宇宙微波背景辐射的精确黑体谱和各向异性特征，为观测宇宙学做出了巨大贡献，与美国宇航局的John C. Mather博士共享2006年度物理学诺贝尔奖。
Albert Fert教授为法国科学院院士、2007年诺贝尔物理学奖获得者，是当今凝聚态物理和自旋电子学领域的著名专家。1995年至今担任国家科学研究中心-Thales 集团联合物理小组科学主管。Fert教授是Giant magnetoresistance (GMR)巨磁电阻效应的发现者之一，GMR效应的发现直接推动了高密度存储磁硬盘(HDD)技术的飞速发展，创造了从基础科学发现到大规模产业化的一个成功应用典范。
Danny Shechtman教授，世界知名理论物理学家，2011年诺贝尔化学奖获得者。现为以色列工学院工程材料系教授。20世纪80年代初发现了具有准晶体结构的合金，在晶体学研究领域和相关学术界引起了很大震动。目前，准晶体的相关研究成果已被应用到材料学、生物学等多种领域。
报告会现场
Albert Fert教授作专题报告
三位诺贝尔奖获得者与重庆研究院青年科技人员交流座谈
参观机器人体验馆