鉴定专家组认为：该项目结合国际半导体技术领域提高光刻分辨力的重大需求背景，针对光学光刻中由于衍射极限带来的分辨力受光源波长限制的原理和技术困境，提出了一种崭新的利用表面等离子体超越衍射极限的光学光刻原理和技术方法。项目研究取得多项创新性、具有国际先进水平的理论和技术研究成果，搭建了表面等离子体光学光刻实验样机并建立了高深宽比、高陡直的配套光刻工艺，分辨力达到50nm，从理论、技术方法和实验上验证了利用长波长（i线365nm）光源实现超越衍射极限分辨力的光学光刻方法的可行性，为实用化表面等离子体光学光刻技术研究提供了基础。
该项目研究成果有望突破国际半导体技术蓝图（ITRS）中光学光刻分辨力受光源波长限制的传统路线格局，为实现32nm、22nm甚至10nm以下光刻技术节点提供了全新的理论和技术手段，为光学光刻技术跨越式发展奠定了坚实基础。
| （ 作者：光电所 2009年7月7日） |